Bootloader一点小问题

在NAND FLASH启动模式下，会把中断向量表设在开始的0地址位置处，也就是S3C2440里的内部SRAM中，但是这时候这4K的SRAM不是都装着bootloader吗，这样直接写入不会有问题？？

bootloader也需要处理中断啊，所以它也有中断向量表的。

是的。可在NAND FLASH启动模式下，它是把中断向量表写在S3C2440里的内部SRAM中，但是这时候这4K的SRAM装着bootloader，这样不就把代码覆盖了吗？这样没问题？？

晕死啦，中断向量是bootloader的一部分啊！

大哥，中断向量的设定是Bootloader的第一个工作，是他产生的，但刚开始是把Bootloader前4K代码复制到那快SRAM中，然后执行Bootloader设定了中断向量，这不就把那代码覆盖了吗？？

这位大哥，你认为"中断向量的设定是Bootloader的第一个工作，是他产生的"Bootloader是如何做到的？

@
@ Exception vector table (physical address = 0x00000000)
@

@ 0x00: Reset
    b    Reset

@ 0x04: Undefined instruction exception
UndefEntryPoint:
    b    HandleUndef

@ 0x08: Software interrupt exception
SWIEntryPoint:
    b    HandleSWI

@ 0x0c: Prefetch Abort (Instruction Fetch Memory Abort)
PrefetchAbortEnteryPoint:
    b    HandlePrefetchAbort

@ 0x10: Data Access Memory Abort
DataAbortEntryPoint:
    b    HandleDataAbort

@ 0x14: Not used
NotUsedEntryPoint:
    b    HandleNotUsed

@ 0x18: IRQ(Interrupt Request) exception
IRQEntryPoint:
    b    HandleIRQ

@ 0x1c: FIQ(Fast Interrupt Request) exception
FIQEntryPoint:
    b    HandleFIQ
就是这样做的

那你认为这和把Bootloader前4K的代码复制到有什么区别？

大哥，前4K代码的复制是内核的工作，刚上电的时候内核会把NAND FLASH里的前4K代码复制到内部的SRAM中，软后执行该段代码，这段代码也就是BOOTLOADER，但这段代码的第一件事就是设置中断向量表，会设置在0x0的地址上，而这时候这个地址映射的就是这块4K的SRAM，而这个时候它保存的也是这段代码，这不就覆盖了吗？就是想问问覆盖了没事？？

在大学里待太久了脑袋不好使了？看问题只会一条道？只会等着别人告诉你答案就算知道了又有什么价值？
如果被覆盖的东西和用来覆盖的东西是一样的，你说有没有事？